盐城康佳芯云半导体怎么样

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（1）根据左手定则，电子向N端偏转，则M点电势高                         ①

（2）设前后两个表面相距为L，电子所受的电场力等于洛仑兹力

e

UH

L

＝evB                      ②

设材料单位体积内电子的个数为n，材料截面积为s

I=nesv                       ③

s=dL 　④

由②③④得：

UH＝

BI

ned

                     ⑤

令k＝

1

ne

，则   UH＝k

BI

d

       ⑥

（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度    

答：（1）M点电势高．

（2）证明如上所示．

（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度

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