三星手机RAM ROM是什么意思?分别有什么用途?哪个更重要?

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ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。

RAM（random access memory）随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。

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三星电子宣布推出970 EVO Plus系列SSD，970 EVO Plus SSD，支持PCIe 3.0 x4，NVMe 1.3，三星自家Phoenix主控，闪存芯片从64层V-NAND TLC升级为第五代96层V-NAND TLC。

三星970 EVO Plus SSD在容量方面提供250GB、500GB、1TB、2TB四种可选，分别搭配51MB、512MB、1GB、2GB LPDDR4缓存，写入寿命分别为150TB、300TB、600TB、1200TB，五年质保。

性能方面，连续顺序读写速度分别最高达3500MB/s、3300MB/s，随机读写速度分别最高为620K IOPS、560K IOPS，与三星970 EVO系列SSD相比，顺序写入速度提高了32%，随机读写性能也明显提高。

三星970 EVO Plus M.2 SSD不仅提高了性能，也降低了功耗，250GB、500GB、1TB容量已在全球开始销售，2TB容量将在4月份上市销售，价格方面暂时只公布了256GB容量销售89.99美元。

三星存储事业部产品品牌营销副总裁Mike Mang表示：“自2015年首次将NVMe SSD引入消费者市场以来，三星一直挑战SSD设计和性能方面的技术创新，三星采用最新第五代V-NAND技术的新970 EVO Plus SSD将在4K内容、3D建模/模拟大型 游戏 等复杂任务处理时，将在同类产品中表现无与伦比的性能。”

2018年三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等在96层3D NAND技术上竞争激烈，在产能方面也积极扩产，使得NAND Flash市场供过于求，价格大跌。为了平衡供需，原厂采取减少产出，减缓扩产计划等策略。

不过，韩媒韩国经济引述业界消息指出，三星副会长李在熔暗示三星有意在存储器市况由盛转衰的时刻展开大手笔投资，企图拉开与其他厂商的距离。三星内部高层稍早透露，三星半导体投资的规模与时间点，虽然有可能进行一些细微调整，但与原先的整体计划没有太大的改变。

1、随机存储器

对于任意一个地址，以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器（写入速度和读出速度可以不同）。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式，即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式（如8k×8位）。

特点：这种存储器的特点是单元器件数量少，集成度高，应用最为广泛（见金属-氧化物-半导体动态随机存储器）。

2、只读存储器

用来存储长期固定的数据或信息，如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定，当器件接通时为“1”,断开时为“0”，反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中，光刻时便转移到硅芯片上。

特点：其优点是适合于大量生产。但是，整机在调试阶段，往往需要修改只读存储器的内容，比较费时、费事，很不灵活（见半导体只读存储器）。

3、串行存储器

它的单元排列成一维结构，犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长，因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列，数据按每列顺序读取，如移位寄存器和电荷耦合存储器等。

特点：砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒，预计在超高速领域将有所发展。

扩展资料：

半导体存储器优点

1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上，输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。

2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。

3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。

参考资料来源：百度百科-半导体集成存储器

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