联电eh部门全称

联电eh部门全称是国际电联电信发展部门。国际电联电信发展部门成立于1980年，为台湾第一家半导体公司。集团旗下有5家晶圆代工厂，包括联电、联诚、联瑞、联嘉以及最新投资的合泰半导体，是全球半导体投资第四大，仅次于英特尔、摩托罗拉及西门子。根据台湾经济部中央标准局公布的近5年台湾百大专利大户名单，以申请件数排名，联电第一、工研院第二、台积电第三。就取得美国专利件数而言，1993年至1997年所累积的件数，联电是台积电的两倍、台湾工研院的3倍。

霍尔效应在1879年被美国物理学家霍尔发现，当电流通过一个位于磁场中的导体的时候，导体中会产生一个与电流方向及磁场方向均垂直的电势差。且电势差的大小与磁感应强度的垂直分量及电流的大小成正比。在半导体中，霍尔效应更加明显。霍尔效应的原理霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场EH。电流IS通过N型或P型霍尔元件，磁场B方向与电流IS方向垂直，且磁场方向由内向外，对于N型半导体及P型半导体，分别产生的方向如左图和右图的霍尔电场EH（据此，可以判断霍尔元件的属性——N型或P型）。霍尔电势差EH阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力FE与洛仑兹力FB相等时，霍尔元件两侧电荷的积累就达到动态平衡。

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