半导体二极管的开关条件是什么？导通和截止时各有什么特点

晶体管的开关特性有二种，一种是：二极管的稳态开关特性；一种是：二极管的瞬态开关特性。二极管的稳态开关特性：电路处于相对稳定的状态下晶体管所呈现的开关特性称为稳态开关特性。晶体二极管当作开关使用时，在理想情况下，当二极管外加正向电压时，二极管导通，如同开关闭合，电路中有电流通过；当二极管外加反向电压时，二极管截止，如同开关断开，电路中没有电流通过。二极管的瞬态开关特性。电路处于瞬变状态下晶体管年呈现的开关特性称为瞬态开关特性。具体地说，就是二极管由导通到截止，或者由截止到导通的瞬态特性。这个估计需要详细的说明才弄的了去硬之城看看吧或许有人会。

1：假设D1导通，D2截止，那么1K电阻上面的电压应该为3.7方向与6方向一样，即Uao的电压为-9.7这个是不可能的应为最大电压明显只有-9。2：假设D1截止，D2导通；这样9的电压源就没有接入电路所以Uao=-Uvd2=-0.73:假设D1，D2都导通那么9电压源就会短路这个也是不可能的；综上我们可以得出只有2满足所以Uao=-0.7。D1断开，D2导通。这个估计需要详细的说明才弄的了去硬之城看看吧或许有人会。

IGBT是场控器件，它的开通和关断由栅极和发射极间的电压uGE决定，当uGE为正，且大于开启电压UGE(th)时，IGBT就可以导通；当栅极与发射极间施加反向电压或者不加信号时，IGBT就被关断。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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