四氯化硅和氢氧化铝锂制甲硅烷的区别

四氯化硅和氢氧化铝锂制甲硅烷的区别,第1张

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四氯硅烷跟四氯化硅区别是什么

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dog_mouse

2012-05-30 TA获得超过427个赞

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一个化合物的两个名字。

硅烷(跟甲烷结构类似,一个硅原子连4个氢原子)

一个氢原子被氯取代后叫一氯硅烷

二个氢原子被氯取代后叫二氯硅烷(也叫二氯硅烷)

三个氢原子被氯取代后叫三氯硅烷(也叫三氯氢硅)

四个氢原子全被氯取代叫四氯硅烷——这是从取代数量的角度命名。

但从化合物的角度命名,该化合物是由硅和氯两种元素组成的,类似二氧化硫之类的化合物命名方式,就叫四氯化硅。

回答于 2012-05-30

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liusen997213

回答于 2020-12-18

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    硅(Si)是研究较早的半导体材料,是第一代半导体的代表。半个多世纪以来,硅半导体技术的长足发展极大地促进了电力和电子技术的进步。尤其到了20世纪70年代,集成电路制造技术的成熟,奠定了硅在整个半导体行业中的领军地位。目前,除了极少数微波加热电源还使用真空电子管之外,几乎所有的电力和电子器件都使用Si材料来制造。尤其在集成电路中,99%以上用的都是Si半导体材料。然而随着科学的进步和半导体技术的发展,Si由于材料本身的特点在某些应用领域的局限性逐渐表现出来。例如,其带隙较窄(~1.12eV)、载流子迁移率和击穿电场较低等,限制了其在光电子领域以及高频、高功率器件方面的应用L1。       第三代半导体也称为宽带隙半导体(禁带宽度超过2.0eV),如金刚石、碳化硅(SiC)、Ⅲ一V族氮化物、Ⅱ一Ⅵ族Zn基化合物及其固溶体等。其中以金刚石、SiC、氮化镓(GaN)和氧化锌(ZnO)为第三代半导体的代表材料。宽带隙使第三代半导体具有许多共同的性能特点,包括高熔点、高临界击穿电场、高热导率、小的介电常数、大的激子束缚能、大的压电系数以及较强的极化效应等。  SiC电学性能  SiC具有较高的临界击穿电场、高热导率和饱和电子迁移率等特点,适合于制造大功率、高温、高频和抗辐射的半导体器件。SiC热导率是si的3倍,SiC材料优良的散热性有助于提高器件的功率密度和集成度。SiC材料形态决定其禁带宽度的大小,但均大于si和GaAs的禁带宽度,降低SiC器件的泄漏电流,加上SiC的耐高温特性,使得SiC器件在高温电子工作领域优势明显。因其具有高硬度和高化学稳定性等特点,使得SiC材料能胜任恶劣的工作环境。一维SiC纳米材料具有较高的禁带宽度,可由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体,高强高韧等特点;适用于制造在恶劣环境下使用的电子器件。


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