
点缺陷(零维缺陷) 主要是空位、间隙原子、反位缺陷和点缺陷复合缺陷。
线缺陷(一维缺陷) 半导体晶体中的线缺陷主要是位错。
面缺陷(二维缺陷) 包括小角晶界、堆垛层错、孪晶。
体缺陷(三维缺陷) 包括空洞和微沉淀,是指宏观上与基质晶体具有不同结构、不同密度或不同化学成分的区域。
微缺陷 除上述四类结构缺陷外,还有一类以择优化学腐蚀后表面出现的以高密度浅底小坑或小丘为其腐蚀特征的一类缺陷,称为微缺陷,目前已发现的微缺陷有三类:(1)生长微缺陷;(2)热诱生微缺陷;(3)雾缺陷。
晶体缺陷会使晶体存在缺陷电阻,对半导体晶体能阶也有影响,对载流子数目存在影响
晶体缺陷在半导体材料方面的应用:如ZnO , Fe3O4 , 掺杂半导体 , BaTiO3半导瓷等
答的不全, 仅作为参考
半导体封装工艺中,晶粒打线这道工序常常有线弯不良,分析和解决方法如下:1. 线材质量不良,铝和铜线较多不良,金线质量比较好。解决方法加强线材收货质管,并每天抽检六次,遇到不良即时反馈供应商。
2. 打线机调整有偏差,方法是加强现场人员技术能力。
3. *** 作员有失误,一般来说 *** 作员影响不大,解决方法是加强技术员和 *** 作员水平。
4. 每个型号产品的打线规范不同,解决方法应有统一流程再补充细节。
5. 厂房设施如水电,气体供应稳定度,都会影响打线稳定度导致线弯,应有设施专人维持稳定度。
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