钜芯半导体：日益崛起的“池州芯”

移动互联网时代的到来，让诸如智能手机、平板电脑等电子终端的需求量成“爆炸式”增长，从而也促进半导体芯片产业市场的繁荣。半导体芯片产业因污染小、效益高、前景广，成为各地“角逐”的对象。2015年6月，注册资本为5700万的安徽钜芯半导体项目正式“加盟”池州，我市半导体行业再添实力“强援”。

3月2日，记者来到位于池州经济技术开发区的钜芯公司看到，崭新的主体厂房已经落成，干净整洁的车间内，工人们正在芯片封装测试生产线上紧张忙碌着。转动的机器上，芝麻大小的芯片在经过封装和测试程序后，再进行编带包装缠在卷盘上，与电影胶片颇为相似。“这条封测生产线于去年6月份开始投产，目前主要为浙江公司提供芯片封测业务。今年5月份，我们自己的芯片生产线也将进入量产阶段，届时意味着整个公司正式步入正轨。”钜芯公司负责人曹孙根说。

曹孙根曾在江苏一家知名芯片企业担任高管，后创业拥有了自己的实体企业。随着我市将以半导体产业为代表的电子信息产业作为重点支柱产业之一进行培育发展，2015年3月，在池州经济技术开发区的“盛邀”之下，专注芯片20年的他回到家乡投资创业，他的钜芯半导体项目也成为当年池州经济技术开发区重点招商引资项目。据了解，该项目一期总投资2亿元，占地37.5亩，将建成2条高级GPP芯片生产线，年产半导体高档GPP芯片360万片，高端的小型化、低功耗半导体电子元器件封装3600KK。项目完全建成达产后，可实现年销售收入4亿元，年利税9000万元。

“公司引进了具有国际先进水平的自动化生产线和检测设备，拥有先进的GPP芯片工艺生产线以及先进的SMD封装生产线，为客户提供专业化、高效率、低成本的新型半导体元器件，产品广泛应用于电脑、通讯、电器、汽车等各个领域。”据曹孙根介绍，未来依托在江苏、深圳等地企业成熟的资源，为钜芯打开广州、香港、台湾和国外市场并非难事，目前与华为、三星、小米等智能品牌生产商也着手开展供货合作。

“池州发展半导体芯片产业有三大优势，一是生态优势，二是交通区位优势，三是支持产业发展的政策优势。”曹孙根说，芯片生产对环境要求特别高，特别是空气洁净度。立体交通网的形成，缩短了与发达地区的时间和空间距离。“池州对半导体产业的扶持力度以及园区功能配套让我获益良多，在项目建设初期，一些基础设施建设补贴为我们降低了生产成本，园区多次组织的招聘会为我们解决用工难的问题。”

去年，池州经济技术开发区半导体产业集聚发展基地成功入选安徽省第二批省战略性新兴产业集聚发展基地，实现产值47.59亿元，增长29.32%，以铜冠铜箔、安芯、钜芯、华钛等大批代表性的半导体产业集聚效应凸显。在曹孙根看来，池州半导体产业还拥有巨大潜力以及得天独厚的优势，必将迎来一个“黄金时期”。“作为池州人，为家乡半导体产业发展出力义不容辞。我也将对外积极推广，吸引更多的合作伙伴来到池州，一起为‘池州芯’的崛起而努力。”

池州半导体产业发展好。通过查询相关公开信息8月12日，2022年池州半导体产业首届高峰论坛举行，主要聚焦池州经开区发展车规级芯片这一主题，深入分析半导体行业发展动态、机遇和挑战，解读国家集成电路政策，结合优秀企业实际案例分享先进技术、发展成长实战经验。专家们认为，池州半导体行业发展的趋势良好，优势明显。

行业主要上市企业：目前国内第三代半导体行业的上市公司主要有华润微(688396)、三安光电(600703)、士兰微(600460)、闻泰科技(600745)、新洁能(605111)、露笑科技(002617)、斯达半导(603290)等。

本文核心数据：第三代半导体分类、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频产值、SiC、GaN电子电力和GaN微波射频市场规模

行业概况

1、定义

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

与传统材料相比，第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件，因此，其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热频，以及更强的抗辐射能力等诸多优势，在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。

第三代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)，其中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)并称为第三代半导体材料的“双雄”，是第三代半导体材料的典型代表。

2、产业链剖析：产业链涉及多个环节

第三代半导体产业链分为上游原材料供应，中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节。上游原材料包括衬底和外延片中游包括第三代版奥体设计、晶圆制造和封装测试下游为第三代半导体器件应用，包括微波射频器件、电力电子器件和光电子器件等。中国第三代半导体行业产业链如下：

第三代产业链各个环节国内均有企业涉足。从事衬底片的国内厂商主要用露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳、维微科技、科恒晶体、镓铝光电等等从事外延片生产的厂商主要有瀚天天成、东莞天域、晶湛半导体、聚能晶源、英诺赛科等。苏州能讯、四川益丰电子、中科院苏州纳米所等从事第三代半导体器件的厂商较多，包括比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、士兰微、斯达半导、扬杰科技、泰科天润等。

行业发展历程：兴起的时间较短

中国第三代半导体兴起的时间较短，2013年，科技部863计划首次阿静第三代半导体产业列为国战战略发展产业。

2016年，为第三代半导体发展元年，国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点，国内企业扩大第三半导体研发项目投资，行业进入快速发展期。

2018年1月，中车时代电气建成国内第一条6 英寸碳化硅生产线2018年，泰科天润建成了国内第一条碳化硅器件生产线2019年9月，三安集成已建成了国内第一条6英寸氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)外延芯片产线并投入量产。在2020年7月，华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。

2020年9月，第三代半导体写入“十四五”规划，行业被推向风口。

行业发展现状

1、产值规模逆势增长

随着5G、新能源汽车等市场发展，第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时，中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2020年在国内大半导体产业增长乏力的大背景下，我国第三代半导体产业实现逆势增长。

2020年我国第三代半导体产业电子电力和射频电子总产值超过100亿元，较2019年同比增长69.5%。

其中，SiC、GaN电子电力产值规模达44.7亿元，同比增长54%GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。

2、产能大幅增长但仍供应不足

根据CASA数据显示截至2020年底，我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年，SiC-on-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年，SiC-onSiC器件/模块(4/6英寸兼容)产能约26万片/年。

GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年，GaN-on-Si器件/模块折算 6 英寸产能约为22万片/年。

但随着新能源汽车、5G、PD快充等市场的发展，我国国产化第三代半导体产品无法满足庞大的市场需求，目前有超过八成产品依赖进口。可见第三代半导体产品国产化替代空间较大。

3、电力电子器件市场规模接近50亿元

2017-2020年，中国SiC、GaN电力电子器件应用市场快速增长，2020年，SiC、GaN电力电子器件应用市场规模为46.8亿元，同比增长90%。

2020年，我国半导体分立器件的市场规模约3002.6亿元，SiC、GaN电力电子器件的应用渗透率约为1.56%。

目前，GaN主要应用在射频及快充领域。SiC重点应用于新能源汽车和充电桩领域。我国作为全球最大的新能源汽车市场，第三代半导体器件在新能源汽车充电桩领域的渗透快于整车市场，占比达38%消费类电源(PFC)占22%光伏逆变器占了15%工业及商业电源、不间断电源UPS、快充电源、工业电机分别占6%、3%、3%、1%。

2020年，我国GaN微波射频器件市场规模约为66.1亿元，同比增长57.2%。其中国防军事与航天应用规模34.8亿元，成为GaN射频主要拉动因素。

国防军事与航天应用是我国GaN微波射频器件的主要应用领域，2020年市场规模占整个GaN射频器件市场的53%其次是无线基础设施，下游市场占比为36%。

行业竞争格局

1、区域竞争格局：江苏省第三代半导体代表性企业分布最多

当前，我国第三代半导体初步形成了京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部等五大重点发展区域。

从我国第三代半导体行业产业链企业区域分布来看，第三代半导体行业产业链企业在全国绝大多数省份均有分布。其中河南省第三代半导体企业数量分布最多，同时山东、江苏和甘肃等省份企业数量也相对集中。

从代表性企业分布情况来看，江苏省第三代半导体代表性企业分布最多，如苏州纳维、晶湛半导体、英诺赛科等。同时广东、山东代表性企业也有较多代表性企业分布。

2、企业竞争格局：主流企业加速扩张布局

经过初期的发展，第三代半导体迅速在新能源汽车、5G基站、PD快充等领域应用，市场规模增长迅速。同时，行业内的竞争也逐渐加剧。为了迎合市场需求，抢占市场地位，国内主流半导体企业均加强在第三代半导体产业的布局，扩充第三代半导体的产能。其中，代表性的主流企业有三安光电、中电科55所、泰科天润等。

行业发展前景及趋势预测

1、2025年行业规模有望超过500亿元

第三代半导体已经写入“十四五”规划。在国家政策的支持和下游需求增长的背景下，预计到2021-2025年，我国SiC、GaN电力电子器件应用市场将以45%的年复合增长率增长至2025年的近300亿元GaN微波射频器件市场规模将以25.4%的年均复合增长率增长至2025年的205亿元。2025年第三代半导体整体市场规模有望超过500亿元。

2、国产化进程将加速

未来，在市场竞争趋势方面，我国第三代半导体行业国产化率将会加深在细分产品发展趋势方面，SiC需求将会增长在技术发展趋势方面，大尺寸Si基GaN外延等问题将会有所进展。

以上数据参考前瞻产业研究院《中国第三代半导体材料行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》。

---