
只有在t->00时,电路才达到稳态,但由于指数函数开始变化较快,以后逐渐缓慢,因此实际上经过t=5:的时间后,电路就基本达到稳态。
可以近似算出等效电阻,由DATASHEET可知二极管的典型正向压降及典型反向漏电流,则正向等效电阻约为:应用时的电流/正向压降;反向等效电阻约为:反向电压/漏电流。
由计算可知,二极管正向电阻很小(几十欧或以下),而反向电阻很大(一般都在几百K欧以上),这两个阻值是动态变化的,与应用环境有关。
结构组成
二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。
采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。
由P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。
在半导体上外加与电流方向垂直的磁场,会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集,在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场,电场力与洛伦兹力产生平衡之后,不再聚集,此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力,使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移,这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。MIS结构中,S层(半导体层)表面存在大量表面态,造成费米能级钉扎效应。因此费米能级不变。而PN结中结区几乎无表面态(同质PN结理论上无表面态,异质PN结会有)。费米能级钉扎效应的具体解释,见百度百科,链接如下: http://baike.baidu.com/link?url=onmx5OQ1KsPZNxMUMKooxuhA0ZyUfdnQkqTbkbBkr4tVMUMC61xq6Yo4Te6tnjhrIK4JDGcZ_JWaYjcn-TuyJa欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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