半导体外延生长厚度

半导体外延生长厚度是500-800微米。通过气相外延沉积的方法在衬底上进行长晶，与最下面的衬底结晶面整齐排列进行生长，新生长的单晶层称为外延层，长了外延片的衬底称为外延片。作为衬底的硅片根据尺寸不同，厚度一般在500-800微米，常用的外延层厚度为2-100微米。

不能一概而论是物理变化or化学变化.如果是制备（例如合成）半导体,那就是化学变化；但如果是提纯半导体,这可能是物理变化（例如区域熔炼）、也可能是化学变化.

另外,在半导体技术中,除了研制单晶半导体以外,往往还需要研制半导体薄膜,这就需要采用化学气相外延、分子束外延、蒸发和溅射等技术,其中有的是物理变化（如蒸发）,有的是化学变化（如外延）.

MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及多元固溶体的薄层单晶材料。一般MOCVD设备都具有手动和微机自动控制 *** 作两种功能。

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