大学物理霍尔效应实验报告中d是多少个

将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(日的方向沿z轴方向)，当沿y方向的电极A.4'上施加电流1时，薄片内定向移动的 载流子(没平均速率为u)受到洛伦兹力的作用。无论载流子是负电荷还是正电荷，均在洛伦兹力的作用下，我流子发生偏称，产生电面积累，从而在蒲片B，B，两侧产生一个电位差，形成一个电场E，电场使载流子又受到一个与洛伦益力方向相反的电场力，达到稳定状态时，两力相等。此时两侧的电压称为霍尔电压。

1)载流子浓度

m.e 1,B Rye

2)载流予迁移率 μ=R，σ

迁移率(mobditv)暑指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米*/(伏·秒)即cm*/V s。

3)电导率的测量 0= V。bd IgL

(1)判断半导体的类型

P型半导体 N型半导体

(2)测量磁场霍耳电压 U = R d L.B

V

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