肖特基二极管的原理是什么？

肖特基二极管制冷应用在于1834年发现的尔帖效应的原理上，肖特基二极管内部有上百对对N型和P型的肖特基二极管材料（碲化铋）粒子，这个肖特基二极管元件在电路上是用串联形式连接组成.当一块N型肖特基二极管材料和一块P型肖特基二极管材料联结成电偶对，在这个电路中接通一个直流电源后，就能发生能量的转移，电流由N型元件流向P型元件的接头吸引热量，成为冷端。

就是冰包内部的制冷铝，电流由P型元件流向N型元件的接头释放热量，成为热端。所以肖特基二极管就会有一面冷一面热，肖特基二极管制冷片它要制冷，就必须要将热排走，否则就会低消制冷的效果。所以热端就要加散热铝和风扇来帮助散热。

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半导体的逸出功一般比金属的小，故当金属与半导体（以N型为例）接触时,电子就从半导体流入金属，在半导体表面层内形成一个由带正电不可移动的杂质离子组成的空间电荷区（图1a）,在此区中存在一个由半导体指向金属的电场，犹如筑起了一座高墙，阻止半导体中的电子继续流入金属。从肖特基势垒的能带图（图1b）可以看出:在界面处半导体的能带发生弯曲，形成一个高势能区，这就是肖特基势垒。电子必须具有高于这一势垒的能量才能越过势垒流入金属。当平衡时，肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

肖特基势垒指具有大的势垒高度（也就是ΦBn 或者 ΦBp >>kT）,以及掺杂浓度比导带或价带上态密度低的金属-半导体接触（施敏, 半导体器件物理与工艺, 第二版, 7.1.2）。

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基接触是指金属和半导体材料相接触的时候，在界面处半导体的能带弯曲，形成肖特基势垒。势垒的存在才导致了大的界面电阻。与之对应的是欧姆接触，界面处势垒非常小或者是没有接触势垒。

肖特基势垒是指具有整流特性的金属-半导体接触，就如同二极管具有整流特性。是金属-半导体边界上形成的具有整流作用的区域。

肖特基二极管B160-13-F的参数

型号： B160-13-F

产品类型：肖特基管

材料：硅(Si)

封装：SMA/DO-214AC

工作温度范围：-40-100（℃）

功耗：.

针脚数：2

批号：2014

是否进口：是

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