半导体内部结构中硼的传导带的最小能级低什么意思？

P型半导体：杂质周期表第Ⅲ族种元素──受主杂质例硼或铟价电带都三电并且传导带能级低于第Ⅳ族元素传导电能级电能够更容易由锗或硅价电带跃迁硼或铟传导带程由于失电产离于其电言空位所通叫做空穴种材料称P型半导体材料传导主要由带电空穴引起种情况电少数载流

N型半导体：掺入杂质周期表第V族某种元素──施主杂质例砷或锑些元素价电带都五电杂质元素价电能级于锗（或硅）能级电容易能级进入第Ⅳ族元素传导带些材料变半导体传导性由于余负离引起所称N型些材料传导性由于材料余离主要由于量电引起（N型材料）电称数载流

这种提问感觉没有意义

这个可以自己找下资料

高硼硅玻璃高硼硅玻璃具有非常低的热膨胀系数耐高温,耐200度的温差剧变。高硼硅玻璃制品是利用玻璃在高温状态下导电的特性，通过在玻璃内部加热来实现玻璃熔化，经先进生产工艺加工而成。用于微波炉专用玻璃转盘、滚筒洗衣机观察窗、等耐热茶壶茶杯。高硼硅玻璃视镜具体的物理化学性能如下：含硅量80%以上应变温度520℃退火温度560℃软化温度820℃折射率1.47透光率(2mm)92%d性模量67knmm-2抗张强度40-120nmm-2加工温度（104dpas）1220℃热膨胀系数（20-300℃）3.3×10-6k-1，所以耐急冷急热性能优越。耐热温差：270度（这个数据很关键）密度（20℃）2.23gcm-1 比热0.9jg-1k-1导热率1.2wm-1k-1耐水性能（iso719）1级耐酸性能（iso195）1级耐碱性能（iso695）2级耐热急变玻棒法玻棒φ6×30mm300℃关于玻璃的说明：玻璃制造的仪器如需长期加热和加压，它的最高安全 *** 作温度不应超过应变温度（520℃）。它在加热到退火温度时，不易变形，如放在适当支架上，且内部不受压力情况下，可以在短时间内加热到600℃，在此情况下，应使仪器缓慢冷却，藉以减少产生永久应力的程度高硼硅玻璃视镜φ5---φ600视镜规格及误差：1.圆板最大直径φ500mm矩形板最大规格600*1100mm厚度3-6mm，可按要求尺寸定做。2.误差：允许正负0.25mm使用领域：1.家用电器（烤箱内部的玻璃面板，微波炉托盘，火炉面板等）2.环境工程化学工程（抵抗性衬层，化学反应釜，安全视镜）3.照明（聚光灯和大功率泛光照明灯具的保护玻璃）4.太阳能发电（太阳能电池基板）5.精密器械（光学滤光片）6.半导体技术（晶片，显示玻璃）7.医学技术生物工程8.安全防护（防d玻璃）

1、污染肯定有。2、半导体厂主要生产半导体原材料，比较高纯度的硅，在提炼硅的时候，可能存在空气和水污染。空气污染主要来源于在处理过程中挥发出来的酸性气体，水污染除了有加工使用的化学物质外，还可能带来重金属的污染。3、芯片厂主要是光刻、封装这块。可能存在的污染也包括空气和水两部分，相对来说，光刻这块水污染的可能性更大一些，而封装这块，由于存在电镀，主要以空气、水污染为主。4、污染大小关键要看企业环保控制力度大小，我参观过一些半导体和芯片封装企业，他们外部看到的污染情况，其实远比一般企业（比如机械加工企业）要小，无论是噪音，空气还是水这块。原因是半导体产品的价值含量很高，特别是光刻这块，小小一盒半导体芯片（类似大号光盘盒子一样）可能就价值几十万上百万。5、辐射污染，如果你后面不是直接挨着配电房的话，应该问题不大。如果挨着的，辐射污染也可能有。因为半导体产业这块，用电很大，而辐射的大小其实跟用电有很大关系。世界上最大型的半导体企业，比如美国的德州仪器（TI）公司，就把生产企业安排在远离人群居住的地方，主要也是污染的原因，可以想象，这种企业潜在的污染还是大的。

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