高频逆变器后级电路图一： 　　中C1，C2分别是Q1，Q2的GD结电容，左边上下两个波形分别是Q1，Q2的栅极驱动波形。我们先从t1-t2死区时刻开始分析，从图中可以看出这段时间为死区时间，也就是说这

过去几年，碳化硅 （SiC） MOSFET在功率电子领域迅速普及。同时，为了在汽车和电动车的三相逆变器中加强SiC的应用，SiC器件的电压电流能力需要显著提高。提高电压等级需要提升SiC芯片本身的设计

英飞凌的1ED4417356是新的低侧栅极驱动器IC，集成了过流保护（OCP）、故障状态输出和启用功能。这种高集成度驱动器对于采用升压拓扑结构并接参考地的PFC（数字控制功率因数校正）应用非常友好

本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损耗。当MOSFET开

摘要比较SiC开关的数据资料并非易事。由于导通电阻的温度系数较低，SiC MOSFET似乎占据了优势，但是这一指标也代表着与UnitedSiC FET相比，它的潜在损耗较高，整体效率低。主题图片谚语说

作者：ADI公司 Peter Delos 和 Jarrett Liner问：能否在200 ns内开启或关闭RF源？答：在脉冲雷达应用中，从发射到接收 *** 作的过渡期间需要快速开启关闭高功率放大器（HPA

作者：英飞凌科技AC-DC应用资深首席工程师Eric Persson随着工业、办公设备和家庭自动化等领域的不断发展，电机及其驱动器越来越多地用于从工业机械臂控制到消费级市场的家用洗衣机等各种应用场景。

中国上海，2021年11月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFE

无论是调整座椅至最佳位置还是能够轻松打开行李箱，车身电子设备系统都可使用电机来提高驾乘人员的舒适性和便利性。金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）控制这些应用的电动装置。但将MOSFET用作开关

—TCK42xG系列支持外部N沟道MOSFET的背对背连接—中国上海，2022年2月9日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出其面向20V电源线路的新款“TCK42xG系列”MO