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Nexperia第二代650V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2kW或更高功率下运行
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS（on）值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。级联配置无
功率GaN解决方案可以减少器件数量、缩小外形尺寸并降低系统成本全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS（on）值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。级联配置无
