你好，看你洞的鸡情片家我威信 kan_sp “算了，总会有机会的，我们这次回来了就不会再轻易离开人王城，只要给我们逮到机会，一定要那几个家伙吃不了兜着走。”轩辕狂歌杀气腾腾的说道，看样子，并肩王府和丞相所在的罗德里克

hfss查看超材料相对介电常数：可以设置为负。右键物体-属性-材料选编辑-增加材料-在介电常数一栏输入需要的数值即可。没有电特性的测试数据（S参数或电容电感等），任何一种仿真软件豆无法求解介电常数和磁导率。以HFSS为例，它属于有限元法的电

靠近干扰源。磁环的安装位置：靠近干扰源，对于屏蔽机箱上的电缆，磁环尽量靠近机箱电缆的进出口。机箱里面存在着大量的空间杂散电磁干扰信号和辐射、泄漏的电磁波严重干扰其它罩槐电子设备正常工作，携首导致设备功能紊乱、屏蔽、失真、传输错误、信号无法正

电感计算公式：方拿樱扮法1、L=μ×Ae*N2 l其中：L表示电感量、μ表示磁心的磁导率、颂盯Ae表示磁心的截面积、N表示线圈的匝数、lm表示磁心的磁路长度。方法2、经验公式：L=（k*μ0*μs*N2*S）l其中μ0 为消灶真空磁导率

介电常数是媒质在外加电场时对外加电场的响应。从微观上看，就是形成了很多的电偶极子。其中虚部表征形成电偶极子消耗的能量。一个物理量存在实部和虚部说明它除了有数值的大小外,还有相位的先后波函数是波,自然有要用相位去描述,比如波函数的解里同时有c

HYMU80 是一种具有非常高初始磁导率的FeNi软磁合金。HyMu 80 适用于广泛的应用范围。该材料具有高磁导率和低磁滞损耗，其屏蔽特性使其成为保护电子元件免受杂散或低频磁场影响的合适选择。HYMU80 广泛用于磁屏蔽应用，隔离电子元

TP2及TP3是接地的，TP的意思是测试点（test point），单独从电路板中引出便于测试，（因为电路板有时因为屏蔽或者放置的位置等原因不便于测量到一些点），当然在原理图上可以不标出，实际电路中也不一定非得有，看情况了；TP1连接的本身

电导率9.93×10的6次方(米欧姆)，就是9930000米欧姆铁磁性材料的相对磁导率μr=μμ0如铸铁为200～400；硅钢片为7000～10000；镍锌铁氧体为10～1000；镍铁合金为2000；锰锌铁氧体为300～5000。电介

电导率9.93×10的6次方(米欧姆)，就是9930000米欧姆铁磁性材料的相对磁导率μr=μμ0如铸铁为200～400；硅钢片为7000～10000；镍锌铁氧体为10～1000；镍铁合金为2000；锰锌铁氧体为300～5000。电介

电导率9.93×10的6次方(米欧姆)，就是9930000米欧姆铁磁性材料的相对磁导率μr=μμ0如铸铁为200～400；硅钢片为7000～10000；镍锌铁氧体为10～1000；镍铁合金为2000；锰锌铁氧体为300～5000。电介

磁性材料，是古老而用途十分广泛的功能材料，而物质的磁性早在年以前就被人们所认识和应用，例如中国古代用天然磁铁作为指南针。现代磁性材料已经广泛的用在我们的生活之中，例如将永磁材料用作马达，应用于变压器中的铁心材料，作为存储器使用的磁光盘，计算

砷化镓集成电路是以砷化镓（GaAs）半导体材料为基片制作的集成电路，其有源器件主要是金属基场效应晶体管和结型场效应晶体管，同时还包含了用高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管等器件所制的集成电路。GaAs集成电路包括超高速集成电路、微波单片

电导率9.93×10的6次方(米欧姆)，就是9930000米欧姆铁磁性材料的相对磁导率μr=μμ0如铸铁为200～400；硅钢片为7000～10000；镍锌铁氧体为10～1000；镍铁合金为2000；锰锌铁氧体为300～5000。电介

磁导率表征磁介质磁性的物理量.常用符号μ表示,μ为介质的磁导率,或称绝对磁导率[1].μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比,即通常使用的是磁介质的相对磁导率μr ,其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比,即μ=BH我觉

电导率σ=2Ω -1 CM -1，相对介电常数=介质的介电常数真空介电常数，相对磁导率=介质磁导率真空磁导率。砷化镓是一种化合物半导体材料，分子式GaAs。立方晶系闪锌矿结构，即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶

介电常数的虚部与介质的电导率有关系，电导率越大损耗虚部也越大。介电常数取复数形式ε（ω）=ε′（ω）-jε″（ω），其中虚部ε″（ω）代表介质损耗；它是由于电极化过程追随不上外场的变化而引起的。实部随着频率的增加而显著下降，虚部出现峰值，

电导率9.93×10的6次方(米欧姆)，就是9930000米欧姆铁磁性材料的相对磁导率μr=μμ0如铸铁为200～400；硅钢片为7000～10000；镍锌铁氧体为10～1000；镍铁合金为2000；锰锌铁氧体为300～5000。电介

电阻率主要和铁氧体的主配方、添加剂和制作的工艺有比较大的关系铁氧体材料，它是作为主成分含有规定量的氧化铁、氧化铜、氧化锌以及氧化镍的NiCuZn系的铁氧体材料，作为辅助成分，含有规定量的氧化铋、氧化硅、氧化镁、氧化钴，以此构成铁氧体材料，因

砷化镓芯片静电等级标准是一种重要的半导体材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。化学式GaAs，分子量144.63，属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制