“PCIM Europe”是功率器件、逆变器、转换器等功率电子产品的展会。在市场要求降低耗电、减轻环境负荷等背景下，该展会的规模逐年扩大，2013年共迎来了近8000名参观者。在本届展会上，开发SiC

电子发烧友网报道（文梁浩斌）在短短几年间，GaN材料就与“快充”这个词紧密关联了起来。在快充需求下，GaN已经几乎在手机、笔记本等设备的充电器上实现普及，从18W到240W的充电器都已经用上GaN器

对于 48V 电源系统中的 GaN FET 应用，现有的一种方法是使用基于 DSP 的数字解决方案来实现高频和高效设计。这在很大程度上是由于缺乏设计用于 GaN FET 的合适控制器的可用性。DSP

大功率自主充电解决方案市场正在迅速扩大，WiboTIc 宣布了其在台式电池充电器以及使用 GaN 技术的无人机和自主移动机器人的无线充电发射器方面的最新进展。通过利用 GaN 技术并确保在最恶劣的工作

能源转型的挑战涉及不同的市场。电动汽车 (EV) 的技术进步正在降低成本，但最重要的是提供了许多消费者所需的更大范围效率。更高功率密度的电池、更高效的电动机以及用于整个动力系统的新型宽带隙半导体解决方

氮化镓 (GaN) 解决方案的集成将使您拥有更小、功率更大的外壳。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (GaNFast) 电源 IC，以实现超薄 50W 快

电力电子将在未来几年发展，尤其是对于组件，因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和 GaN 组件的过渡标

Navitas 的下一代氮化镓 (GaN) 电源 IC 可将充电速度提高 3 倍，并在移动快速充电器中实现主流采用，满足 1B 美元以上的市场需求。Navitas 的 GaNFast 集成氮化镓 (G

基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件具有出色的电气特性，是高压和高开关频率电机控制应用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我们在这里的讨论集中在 GaN HEMT

氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙材料，在高功率射频 (RF) 应用中具有显着优势。与传统半导体（如硅）相比，氮化镓具有一些非常重要的物理和电学特性，包括：高击穿电压；高功率密度；高工作和开关频率；高效

碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采​​用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在现

在过去几年中，氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体，具有更快的开关速度、更高的击穿强度

在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。本文是上一篇文章的后续，可以在这里找到。UnitedSiC

由于具有更好的品质因数，氮化镓等1宽禁带半导体提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面积更小，因此需要更小尺寸的封装。假设器件占用的面积是决定热性能的主要因素，那么可以合理地假设较小的功率器件会导致较高的

本文分析了高性能肖特基势垒二极管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平台上的成功协同集成。这些组件的添加使芯片设计具有扩展的功能和

已经为基于 GaN 的高电子迁移率晶体管(HEMT)的增强模式开发了两种不同的结构。这两种模式是金属-绝缘体-半导体 (MIS) 结构，2具有由电压驱动的低栅极泄漏电流，以及栅极注入晶体管 (GIT)

氮化镓 (GaN)器件可实现航空航天、交通运输和医疗应用所需的高频、高密度电源。在布置印刷电路板 (PCB)时必须考虑某些设计规则和组件。例如，多层布局和带有铜孔的走线将减少传导路径长度并因此最大限度

预计至 2050 年，世界能源消耗将增长近 50%，随着对可再生能源的需求增加、汽车工业系统 电气化以及对电源管理应用中设备的小型化和提高效率的需求不断增长。随着半导体器件尺寸的缩小和变得更加复杂，缺

氮化镓（GaN）半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅极双极晶体管（IGBT）只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度。使