【导读】鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具

【导读】有线电视提供商在升级网络时要把握好分寸。他们需要在不降低性能和可靠性的情况下，满足客户对容量的需求。很多提供商借助 GaN 技术来保持平衡，原因如下。 对速度、容量、性能和可靠性的需求 随着视

【导读】SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性，能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。但同时，SiC、GaN极快的开关速度也给工程师带来

【导读】在电力电子应用中，为了满足更高能效和更高开关频率的要求，功率密度正在成为关键的指标之一。基于硅（Si）的技术日趋接近发展极限，高频性能和能量密度不断下降，功率半导体材料也在从第一代的硅基材料发

外形尺寸和热性能是工程师为现代现场可编程门阵列 (FPGA) 设计电源时需要考虑的两件事。FPGA 用于各种信号处理应用，但工程师需要高精度来支持硬件的大量需求。氮化镓 (GaN)是一种宽带半导体材料

汽车行业对提高燃油效率和减少 CO 2排放的双重追求为支持这些平台的传感器系统、电池管理系统和发动机的所有其他部件带来了许多技术问题。电动汽车 (EV) 正受益于技术进步，这些进步带来了更低的价格，同

5G 无线革命正在给射频设计领域带来巨大的变化，手机和无线电基站的功率放大器也不例外。首先，5G 无线应用中的功率放大器芯片将与 4G 网络中使用的功率放大器芯片大不相同。这主要是因为 5G 传输的宽

碳化硅是一种非常高效的材料，具有高功率和高温特性。碳化硅 (SiC) 半导体是提高系统效率、支持更高工作温度和降低电力电子设计成本的创新选择。碳化硅是硅和碳的化合物，是一种具有同素异形变体的半导体材料

Micro LED被誉为新时代显示技术，但目前仍面临关键技术、良率、和成本的挑战。微米级的Micro LED已经脱离了常规LED工艺，迈入类IC制程。相对其它竞争方案，大尺寸硅衬底氮化镓（GaN）Mi

氮化镓功率放大器生产测试的独特挑战Devin Morris, RoosInstruments随着5G的推出，新的无线电网络基础设施的一个重要环节是gNodeB基站的功率放大器（PA）。PA需要无故障运

0 引言近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件模块达到其自身的材料性能极限，氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半

GaN作为第三代半导体的典范正在被广泛使用，就连电梯间也能看到快充品牌直接拿GaN做广告语了。GaN做激光或者LED可以发出蓝光，也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT (High

摘要：随着 GaN 功率放大器向小型化、大功率发展， 其热耗不断增加， 散热问题已成为制约功率器件性能提升的重要因素。金刚石热导率高达２ ０００ Ｗ／ （ｍ·Ｋ）， 是一种极具竞争力的新型散热材料，

2022年9月13日– 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo®QPA1724 KuK波段氮化镓

【导读】氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kWL 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提

【导读】氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3.3 MVcm 的 20 倍临界电场击

氮化镓 (GaN) 功率器件已经生产超过 10 年，除了性能和成本改进之外，GaN 技术影响功率转换市场的最重要机会来自于在同一衬底上集成多个器件的内在能力. 这种能力将允许以更直接、更高效率和更具成

据估计，化石燃料目前占全球发电总量的三分之二，而太阳能和风能仅占发电量的 7%。然而，要实现净零碳排放的目标，就需要加速从化石燃料转向可再生能源。提高可再生能源采用率的基础是降低每瓦转换成本、增加储能

氮化镓 (GaN) 开关技术推动了充电器和适配器的小型化。与使用等效硅器件的电路相比，它允许开发可以在高开关频率下运行的转换器。GaN 减小了变压器尺寸，提供了显着提高系统效率的解决方案，减少或消除了