IGBT管原理

IGBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。
普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因为内阻较大，管子发热很快，难以长时间在高电压和大电流状态下工作。
大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。
将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。
IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。
常见的IGBT管的管脚排列，将管脚朝下，标型号面朝自己，从左到右数，1脚：栅极或称门极（G），2脚：集电极（c），3脚：发射极（e）。
测量前将3个脚短路一下（放电），用指针表1K档正反测量Gc、Ge两极阻值均为无穷大，红笔接c极，黑笔接e极，若所测值35K左右，则管内含阻尼二极管，若所测值50K左右，则不带阻尼。
若测3脚间电阻均很小或均为无穷大则管已损坏。
IGBT管是电磁炉常用的管，找张电磁炉电路图看一看。根普通的场效应管应用差不多。

0基础看懂igbt的工作原理：

IGBT的工作原理是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,。

贸易战当前的背景下，先进的半导体芯片得到了越来越多的重视。作为半导体开关之一，IGBT是能量变换和传输的核心零件。

有了IGBT这种开关，就可以通过电路设计和计算机控制，改变交流的频率，或者把交流变直流。

IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。

由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：

——IGBT栅极与发射极之间的电压;

——IGBT集电极与发射极之间的电压;

——流过IGBT集电极－发射极的电流;

——IGBT的结温。

如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则IGBT不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏;同样,如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压,流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流,IGBT的结温超过其结温的允许值,IGBT都可能会永久性损坏。

参考：

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