
你所说的掺杂半导体多出来的能级应该指的是杂质能级。如果是n掺杂就是施主能级,如果是p掺杂就是受主能级。
掺杂后,费米能级会移动很靠近杂质能级,但是绝不是同一个。
先用自掺杂原理:N,P型杂质先自己中和,然后再产生掺杂载流子。N(Al)+N(Ga)-N(As) = N
把N 代入相应的P/N 掺杂费米能级计算公式。
Ei - Ef =kTln(NA/ni) P型
Ef - Ei =kTln(ND/ni) N型
其中Ei是本征能级。
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你所说的掺杂半导体多出来的能级应该指的是杂质能级。如果是n掺杂就是施主能级,如果是p掺杂就是受主能级。
掺杂后,费米能级会移动很靠近杂质能级,但是绝不是同一个。
先用自掺杂原理:N,P型杂质先自己中和,然后再产生掺杂载流子。N(Al)+N(Ga)-N(As) = N
把N 代入相应的P/N 掺杂费米能级计算公式。
Ei - Ef =kTln(NA/ni) P型
Ef - Ei =kTln(ND/ni) N型
其中Ei是本征能级。
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