掺杂半导体材料中的费米能级与掺杂后在能隙中多出的能级是同一个吗?(只考虑n掺杂或p掺杂)

掺杂半导体材料中的费米能级与掺杂后在能隙中多出的能级是同一个吗?(只考虑n掺杂或p掺杂),第1张

不是,费米能级表征的是电子的填充水平。无论是否掺杂,半导体都有费米能级。

你所说的掺杂半导体多出来的能级应该指的是杂质能级。如果是n掺杂就是施主能级,如果是p掺杂就是受主能级。

掺杂后,费米能级会移动很靠近杂质能级,但是绝不是同一个。

先用自掺杂原理:N,P型杂质先自己中和,然后再产生掺杂载流子。

N(Al)+N(Ga)-N(As) = N

把N 代入相应的P/N 掺杂费米能级计算公式。

Ei - Ef =kTln(NA/ni) P型

Ef - Ei =kTln(ND/ni) N型

其中Ei是本征能级。


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