中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所股票代码：981）与北京中电华大电子设计有限责任公司（“华大电子”）共同宣布，华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片

在日本的众多IC厂商中，富士通（Fujitsu）是让人印象非常深刻的企业之一，不仅因为他们具有MCU、ASIC、ASSPSoC、系统存储芯片、甚至代工等较完备的产品与服务，更重要的是他们在MCU领域

三星电子近日宣布，正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash，并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺，为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称，基于其45nm eFlash的智能卡电路具

瑞萨电子株式会社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋层上覆硅）工艺的新型嵌入式闪存低功耗技术，可提供1.5MB容量，是业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属

（文章来源：OFweek）瑞萨电子与台积电共同宣布，双方合作开发28纳米嵌入式闪存(eFlash)制程技术，以生产支持新一代环保汽车与自动驾驶汽车的微控制器(MCU)。采用此全新28纳米工艺技术生产的

近日华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台已经宣布量产，是在第一代的基础上实现了多方面的技术提升。目前，90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产，标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术

韩国首尔2021年4月6日 美通社 -- 韩国唯一一家纯晶圆代工公司启方半导体（Key Foundry） 今天宣布，该公司已成功开发出面向汽车半导体应用的第二代0.13微米嵌入式闪存工艺，年内就将

中国北京，2021年4月15日——全球公认的卓越的模拟混合信号与光电半导体解决方案晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，已为其XP018高压（HV）车用

Altera计划生产面向大批量应用的下一代非易失可编程器件2013年4月16号，北京 — Altera公司 （NASDAQ： ALTR）与台积公司（TSMC）今日共同宣布在55纳米嵌入式闪存 （Emb