瑞萨电子推出基于SOTB工艺的嵌入式闪存低功耗技术 实现能量收集并无需电池供电

瑞萨电子株式会社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋层上覆硅）工艺的新型嵌入式闪存低功耗技术，可提供1.5MB容量，是业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属氧化氮氧化硅）闪存（注1）。通过引入全新电路技术来降低闪存中外围电路的功耗，实现了在64 MHz的工作频率下低至0.22 pJ/bit的读取能耗——这是业界嵌入式闪存在MCU上的最低水平。用于外围电路的新低功率技术包括：(1)在检测存储器中的数据时降低能耗；(2)在将读取的数据发送到外部时减少传输能耗。该先进技术帮助读取存储器数据时的能耗大幅降低。