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瑞萨电子推出基于SOTB工艺的嵌入式闪存低功耗技术 实现能量收集并无需电池供电
瑞萨电子株式会社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋层上覆硅）工艺的新型嵌入式闪存低功耗技术，可提供1.5MB容量，是业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属
瑞萨电子株式会社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋层上覆硅）工艺的新型嵌入式闪存低功耗技术，可提供1.5MB容量，是业界首款基于65nm SOTB技术的嵌入式2T-MONOS（双晶体管-金属
